نسل بعدی حافظه HBM4 با پهنای باند دو برابری از راه میرسد
نکات خواندني
بزرگنمايي:
سیاست و بازاریابی - شهر سخت افزار / ظاهراً سامسونگ و SK Hynix سرگرم توسعه نسل بعدی حافظه HBM4 بوده و در همین رابطه جزئیات جدیدی از مشخصات این حافظه به بیرون درز کرده است. به نظر میآید حافظه HBM4 دارای گذرگاه 2048 بیتی بوده که میتواند پهنای باند حافظه را تا دو برابر افزایش دهد. اطلاعات بیشتر را در ادامه این نوشتار از شهر سخت افزار بخوانید.
HBM یا حافظه با پهنای باند گونهای از تراشههای حافظه است که عمدتاً در شتاب دهندههای مخصوص دیتاسنتر و برخی از کارتهای گرافیک رده بالا استفاده میشود. در نسل HBM3 شاهد دو برابر شدن پهنای باند حافظه هستیم و حالا به 819 گیگابایت در ثانیه میرسد.
اکنون به نظر میآید سامسونگ و SK Hynix قصد دارند به زودی از نسل جدید حافظه HBM رونمایی کنند. نسل بعدی حافظه HBM شاهد جهش بزرگی در پهنای باند حافظه با افزایش 2 برابری خواهد بود. اهمیت این موضوع از آن جهت است که حافظه HBM از سال 2015 ارتقا قابلتوجهی نداشته است.
در واقع درگاههای ورودی و خروجی حافظه HBM4 را به 2000 درگاه میرسد و با یک حافظه مجهز به گذرگاه 2048 بیتی مواجه خواهیم بود. این کار، قابلیتهای محاسباتی بسیار گستردهتری را برای مدلهای بسیار بزرگتر LLM فراهم خواهد کرد.
در حال حاضر شاهد ادغام HBM3e با جدیدترین نسل پردازندههای گرافیکی هوش مصنوعی هستیم که میتواند به پهنای باند 5 ترابایت بر ثانیه برسد و عملکرد خوبی را برای پردازندههای گرافیکی محبوبی مثل H100 AI انویدیا فراهم کرده است.
لازم به ذکر است که پردازندههای گرافیکی هوش مصنوعی در حال حاضر به حافظه HBM به عنوان یک جزء اصلی نیاز دارند و به همبن خاطر انتظار میرود که بهزودی شاهد نوآوریهای جدیدی در حوزه HBM باشیم. این اتفاق احتمالا در سالهای آینده رخ خواهد داد.
با وجود ویژگیهای خیره کننده HBM4 چون ظرفیت و سرعت بسیار بالا، اولین محصولات مبتنی بر این استاندارد مشخصات پایینتری خواهند داشت. هنوز زمان عرضه محصولات مجهز به حافظه مذکور مشخص نیست.
لینک کوتاه:
https://www.siasatvabazaryabi.ir/Fa/News/713718/